文 | 半导体产业纵横国产 女同，作家 | 鹏程

日前，华为发布了阔折叠手机 PuraX，激励行业横蛮慈祥。而就在最近的拆解视频中线路，刚开卖的手机拆出来的芯片，比正本厚了一大截。华为 Pura X 搭载的麒麟 9020 芯片采用全新一款式封装工艺。

拆解视频线路，麒麟 9020 封装面貌从夹心饼结构转化为了 SoC、DRAM 一体化封装，暂时还不明晰是 CoWoS 照旧 InFO-PoP，亦或者其他封装款式。但不管若何，这又是国内先进封装才气的又一次展现。国内芯片设想厂、封装厂和内存厂的相互协同依然初现头绪。

据了解，苹果手机 SoC 此前便依然采用了雷同的先进封装时刻，将 DRAM 垂直堆叠在了 SoC 上方，即台积电的 PoP。只不外 SoC 自己仍然是单个全体芯片。

苹果采用的 PoP 和 InFO-PoP 封装是什么？

当苹果公司的 iPhone 在 2007 年亮相时，立时便被停止展咫尺世东说念主眼前，层叠封装时刻过问了东说念主们的视线。PoP 也曾是世东说念主慈祥的焦点。然而有相等长的一段时刻内 PoP 隐藏了。之后，更先进的手机将处理器和存储器蚁合在统共，PoP 又成为这类手机的封装选拔决策。

层叠封装（Package on Package，PoP）是一种集成电路封装时刻，它将两个或多个芯片封装在统共，造成一个全体。这种封装时刻不时用于移动设立和其他微型电子设立中，以精打细算空间并提高性能。在 PoP 中，一个芯片被搁置在另一个芯片的顶部，造成一个层叠结构。这种结构不错通过焊合或其他联结时刻进行联结。不时，表层芯片是处理器或存储器，而基层芯片是 DRAM 或其他类型的存储器。

而 InFO（全称为 Integrated Fan-Out，意为集成式扇出型封装）时刻则是台积电于 2016 年推出的一种时刻。InFO-PoP 即示意 InFO 封装对 PoP 封装的成就。InFO 时刻是将芯片班师搁置在基板上，通过 RDL（Re-distributed layer，重布线层）已毕芯片和基板的互连，无需使用引线键合，RDL 在晶圆名义造成，不错为键合垫片从头分派更大的间距，从而允许更多的 I/O 联结，已毕更紧凑和高效的设想。

晶圆级封装一般需要 RDL 工艺，因为晶圆上的焊盘大部分是铝焊盘，不管是作念晶圆级封装照旧板级封装，铝金属不易作念后续处理，王人需要用另外的金属来隐秘铝。RDL 是将正本设想的芯片线路接点位置 ( I/O pad ) ，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程转变其接点位置，同期倨傲焊球间最小间距的拘谨。

InFO 时刻在 2016 年的苹果 A10 芯片上获得应用，并繁衍出新的时刻应用：InFO-oS、InFO-LSI、InFO-PoP 以及 InFO-AiP 等。

InFO-oS 时刻可集成多个高档逻辑芯片，在封装里面已毕更高的集成度，适用于 5G 组网应用。InFO-LSI 时刻雷同于英特尔的镶嵌式多芯片互连桥接（EMIB）时刻，不错已毕极致的互连带宽和本钱的折中，其诈欺硅基互连的面貌已毕不同芯片层之间的联结。该时刻允许在合并封装里面进行高速信号传输，从而提高了系统的性能和功耗成果。InFO-LSI 时刻适用于需要高速信号传输和通讯的应用规模，如高性能谋略、东说念主工智能、通讯和集合设立等规模。这些规模不时需要在封装层里面进行复杂的数据处理和通讯，因此，InFO-LSI 时刻具有要紧深嗜深嗜。InFO-PoP 时刻是一种将 InFO 与 PoP 相蚁合的时刻。这种时刻不时用于需要同期集成多个芯片的应用场景，如移动设立等规模，不错已毕更高的集成度和更多的功能。InFO-AiP 时刻是一种在 InFO 封装中集成天线的时刻。这种时刻不错将天线班师集成在封装中，从辛勤毕更紧凑的设想和更好的信号传输性能。InFO-AiP 时刻不时用于移动设立、物联网和通讯设立等规模国产 女同，不错已毕更优异的无线联结性能。

InFO-PoP 封装上风赫然

2016 年推出的 iPhone 7 中的 A10 处理器，采用 TSMC 16nm FinFET 工艺以及 InFO（Integrated Fan-out）时刻，得手将 AP 与 LPDDR 整合在合并个封装中，为将来几年的移动封装时刻立下新的标杆。InFO 封装也成为台积电独占苹果 A 系列处理器订单的要害时刻之一。在这一年，能量产 InFO 封装的也仅 TSMC 一家。多年来，苹果 A 系列处理器与 DRAM 王人是采用台积电 InFO-PoP 封装时刻封装在统共，将 DRAM 顶部封装上的凸块诈欺连续 InFO 过孔（TIV）到达 RDL 层，再与逻辑芯片互联，以减小全体的芯片尺寸，减少占板面积，时确保强盛的热和电气性能。

那么这种时刻带来了哪些上风呢？

这种时刻的一个要害上风是其天真性，因为 DRAM 封装不错很容易地更换。此外，由于芯片被层叠在统共，PoP 时刻不错精打细算空间，使设立更小更轻。由于芯片之间的联结更短，还不错提高芯片性能并减少延伸。

由于 InFO 引入了 RDL 层，芯片设想者不错通过对 RDL 的设想代替一部分芯片里面线路的设想，从而臆造设想本钱；采用 RDL 概况撑抓更多的引脚数目；采用 RDL 还使 I/O 触点间距更天真、凸点面积更大，从而使基板与元件之间的应力更小、元件可靠性更高；RDL 层使用了高分子团聚物 ( Polymer ) 为基础的薄膜材料来制作，不错取代封装载板，圣洁本钱；RDL 还不错把不同种类的芯片联结在统共，已毕多芯片封装互连。

手机芯片运转角逐先进封装

苹果是较早引入先进封装的手机芯片商，其一直英敢于将先进封装时刻应用于手机芯片。主如果因为：

苹果一直和台积电先进封装有深度息争研发，也老是首批采用滥觞进制程的高净值客户。苹果比别家更有进击需求采用先进封装时刻压低本钱。尤其是 3nm 流片和晶圆本钱依然一倍于 5nm，2nm 本钱持续翻一倍还不啻，便是再高净值客户，也无法承受了。

苹果的 M1 Ultra 芯片初次已毕了 GPU 里面高速通讯标明，在 SoC 层面，苹果也有比较高效的 D2D 通讯合同和物理层设想，这走在了 ARM 阵营的前边，将来应用到手机 SoC 会比别家更容易。而这也需要先进封装的撑抓，苹果致使还立异定制了封装架构 UltraFusion。

此外，苹果有更强的 IP 复用需求。苹果芯片隐秘手机、平板、条记本和责任站，同期像基带和 wifi 限制器等 IP 又来娇傲通、博通，但跟着苹果自研基带的推出，后续可能会渐渐将这些模块替换为自研的。这例必也条目将 SoC 各个模块作念成可复用、可更换的，来确保本钱。这种情况下，Chiplet 封装工艺更具有上风。

咫尺来看，安卓阵营也在渐渐走向这一趋势。不管是代工本钱的考量，照旧 PC 芯片的 IP 复用需求王人需要先进封装的撑抓。

国内手机芯片厂商也在和下贱厂商深度息争斥地推敲时刻。骨子上此前一家国内有名的手机 SoC 设想公司便公开了一种芯片堆叠封装及末端设立专利，苦求公布号为 CN114287057A，可惩办因采用硅通孔时刻而导致的本钱高的问题。专利摘记线路，该专利触及半导体时刻规模，其概况在保证供电需求的同期，惩办因采用硅通孔时刻而导致的本钱高的问题。这有益于进一步臆造先进封装的本钱。

另外，本年五月份将推出的鸿蒙 PC，不异有很强的 IP 复用需求。而高通也一直在筹画过问 AIPC 的赛说念，此前还曾推出骁龙 X Elite。

苹果或澌灭封装堆叠内存？

不外，有音讯称，从 2026 年运转，苹果将在 iPhone 18 系列中澌灭现存的封装堆叠内存（PoP）设想，转而采用芯片与内存离别的架构。

一直以来，苹果在硬件设想上的追求不错用"紧密极简"来刻画。不管是 iPhone、iPad 照旧 Mac，它们里面的芯片和内存多采用封装堆叠时刻。天然关于寸土寸金的移动设立来说，封装堆叠时刻能减少芯单方面积、镌汰内存与主芯片之间的物理距离，从而臆造数据传输延伸，提高电源成果。但 PoP 时刻也有其局限性。由于内存封装尺寸受到 SoC（系统级芯片）尺寸的抛弃，这班师影响到 I/O 引脚的数目，进而抛弃了数据传输速率和性能。这少量，在靠近高带宽需求的东说念主工智能运算时，发扬得尤为赫然。

音讯称，苹果权术在 iPhone 18 中采用芯片与内存离别的设想，赫然是一次为性能做事的息争。这种离别设想天然在物理距离上拉长了内存和芯片之间的传输旅途，但它也解锁了更多的 I/O 引脚，能极地面晋升数据传输速率和带宽。

据悉，苹果正在与三星息争斥地下一代 LPDDR6 内存时刻，其数据传输速率和带宽展望是咫尺 LPDDR5X 的 2 至 3 倍。如斯高的性能晋升，关于日益依赖腹地 AI 谋略的智高手机来说无疑是个雄壮的利好。不管是 AI 及时翻译、图像识别，照旧愈加智能化的 Siri，这些场景王人需要更高的内存带宽来撑抓更快的数据隐约量。

此外，离别设想还有助于散热优化。比拟于堆叠封装的设想，内存与 SoC 物理离别后，每个组件的散热成果将获得晋升，臆造芯片过热导致的性能瓶颈。

不外这并不代表苹果将澌灭先进封装国产 女同，而是可能采用更适当的先进封装时刻。